STD110N8F6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
540 руб.
от 2 шт. —
440 руб.
от 5 шт. —
370 руб.
от 10 шт. —
342.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 80V, 80A, 175DEG C, 167W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 48 ns |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Length | 10.1 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 167 W |
| Product | Power MOSFET |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 150 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
| Rise Time | 61 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | STripFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 162 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V to 4.5 V |
| Width | 6.6 mm |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
std110n8f6
pdf, 626 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
