BSS84AKW.115
![Фото 1/5 BSS84AKW.115](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757513.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438237.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/371/DOC022371742.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/028/DOC023028929.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/028/DOC023028933.jpg)
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Добавить в корзину 40 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Технические параметры
Корпус | SC703 | |
кол-во в упаковке | 200 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 150 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 310 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-323 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.26 nC @ 5 V | |
Width | 1.35mm | |
Lead Finish | Tin | |
Max Processing Temp | 260 | |
Mounting | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55 to 150 °C | |
RDS-on | 7500@10V mOhm | |
Typical Fall Time | 25 ns | |
Typical Rise Time | 11 ns | |
Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 13 ns | |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet BSS84AKW,115
pdf, 1421 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары