SIR150DP-T1-RE3

SIR150DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
410 руб.
от 2 шт.310 руб.
от 5 шт.244 руб.
от 10 шт.219.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 410 руб.
Номенклатурный номер: 8008844788

Описание

Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 110(A)
Drain-Source On-Volt 45(V)
Gate-Source Voltage (Max) 20(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type POWERPAK SO EP
Packaging Tape and Reel
Pin Count 8
Polarity N
Power Dissipation 52(W)
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Brand: Vishay/Siliconix
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 6 ns
Forward Transconductance - Min: 72 S
Id - Continuous Drain Current: 110 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: PowerPAK-SO-8
Pd - Power Dissipation: 65.7 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 46.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.71 mOhms
Rise Time: 6 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: TrenchFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 30 ns
Typical Turn-On Delay Time: 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 45 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -16 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.3 V

Техническая документация

Документация
pdf, 216 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов