SIR150DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 2 шт. —
310 руб.
от 5 шт. —
244 руб.
от 10 шт. —
219.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 110(A) |
Drain-Source On-Volt | 45(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | POWERPAK SO EP |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Polarity | N |
Power Dissipation | 52(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Brand: | Vishay/Siliconix |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 72 S |
Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
Pd - Power Dissipation: | 65.7 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 46.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.71 mOhms |
Rise Time: | 6 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
Техническая документация
Документация
pdf, 216 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов