SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 30В 3.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
от 98 шт. —
19 руб.
от 195 шт. —
17 руб.
от 389 шт. —
16 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 480 руб.
Посмотреть аналоги10
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 30В 3.5A
Технические параметры
| Корпус | SOT-23-3(TO-236) | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.138 O | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | TrenchFET | |
| Вес, г | 0.136 |
Техническая документация
Datasheet SI2307CDS-T1-GE3
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
