IRF540ZLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262

Фото 1/2 IRF540ZLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 11 шт.84 руб.
от 21 шт.77 руб.
от 50 шт.73 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 465 руб.
Номенклатурный номер: 8008969883
Артикул: IRF540ZLPBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262

Технические параметры

Корпус TO-262-3
Id - непрерывный ток утечки 36 A
Pd - рассеивание мощности 92 W
Qg - заряд затвора 42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 26.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 51 ns
Время спада 39 ns
Высота 9.45 mm
Длина 10.2 mm
Другие названия товара № SP001559652
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип Automotive MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 43 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-262-3
Ширина 4.5 mm
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.021Ом
Power Dissipation 92Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 36А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 92Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.021Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-262
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet IRF540ZPBF
pdf, 378 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов