IRF540ZLPBF

IRF540ZLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
250 шт. со склада г.Москва, срок 4 рабочих дня
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 13 шт.87 руб.
от 25 шт.79 руб.
от 50 шт.71 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 900 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8008969883
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-262, инфо: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262

N-канал 100V 36A (Tc) 92W (Tc) сквозное отверстие TO-262

Технические параметры

Base Product Number IRF540 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
Power Dissipation (Max) 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRF540ZPBF Datasheet
pdf, 378 КБ
Datasheet IRF540ZLPBF
pdf, 383 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах