WMJ25N80M3, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 21А; 250Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 шт., срок 7 недель
1 750 руб.
от 3 шт. —
1 370 руб.
от 10 шт. —
915 руб.
от 30 шт. —
770.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 750 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 800В, ток стока 21А
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 21A |
| Drain-source voltage | 800V |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | WAYON |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.26Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 250W |
| Technology | WMOS™ M3 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| кол-во в упаковке | 330 |
| Вес, г | 6.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 585 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
