Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPP040N06NAKSA1

IPP040N06NAKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 310 руб.

от 2 шт. — 2 190 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 310 руб.

Номенклатурный номер: 8021967836

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Полевой транзистор IPP040N06NAKSA1 производства INFINEON предназначен для использования в силовой электронике. Этот N-MOSFET транзистор отличается высокой надежностью и эффективностью благодаря току стока в 80 А и напряжению сток-исток в 60 В. Мощность устройства достигает 107 Вт, что позволяет ему справляться с серьезными нагрузками. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,004 Ом, обеспечивая высокую производительность и минимальные потери мощности. Монтаж осуществляется методом THT, что упрощает интеграцию транзистора в различные электронные схемы. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает надежную защиту и удобство монтажа. Для приобретения этого высококачественного компонента укажите код IPP040N06NAKSA1 без пробелов и специальных символов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	80
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	107
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.004
Корпус	PG-TO220-3

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	20A(Ta), 80A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 30V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	3W(Ta), 107W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 80A, 10V
Series	OptiMOSв(ў
Standard Package	500
Supplier Device Package	PG-TO-220-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 50ВµA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	80
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	4 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2.8(Typ)
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	3000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	OptiMOS
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	9
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	38
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	38 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	2700 30V
Typical Rise Time (ns)	16
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	30
Typical Turn-On Delay Time (ns)	19
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	80 A
Maximum Drain Source Resistance	6 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.3V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	107 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	38 nC @ 10 V
Width	4.57mm