TJ80S04M3L,LXHQ, MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
![TJ80S04M3L,LXHQ, MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC027757488.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6333 шт., срок 6-8 недель
450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Automotive DevicesToshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Fall Time: | 300 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | DPAK-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | TJ80S04M3L, LXHQ(O |
Pd - Power Dissipation: | 100 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 158 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.2 mOhms |
Rise Time: | 100 ns |
Series: | UMOS VI |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 970 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 125 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 264 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары