TJ80S04M3L,LXHQ, MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ80S04M3L,LXHQ, MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6333 шт., срок 6-8 недель
450 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 450 руб.
Номенклатурный номер: 8009090346
Артикул: TJ80S04M3L,LXHQ
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Fall Time: 300 ns
Id - Continuous Drain Current: 80 A
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +175 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: DPAK-3
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: TJ80S04M3L, LXHQ(O
Pd - Power Dissipation: 100 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 158 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 5.2 mOhms
Rise Time: 100 ns
Series: UMOS VI
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 970 ns
Typical Turn-On Delay Time: 125 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 0.36

Техническая документация

Datasheet
pdf, 264 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.