IRF9956PBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 17 шт. —
79 руб.
от 33 шт. —
77 руб.
от 66 шт. —
73 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А
Технические параметры
Корпус | so-8 | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Dual Dual Drain | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3.5 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 100@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1(Min) | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 2 | |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Pin Count | 8 | |
Standard Package Name | SOP | |
Supplier Package | SOIC | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 6.9 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.9@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 190@15V | |
Typical Output Capacitance - (pF) | 120 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF9956 Datasheet
pdf, 161 КБ
Документация
pdf, 178 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов