IRFIBE30GPBF, Транзистор полевой N-канальный 800В 2.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 13 шт. —
110 руб.
от 25 шт. —
104 руб.
от 50 шт. —
99 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 2.1A
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Серия | IRFIBE | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Base Product Number | IRFIBE30 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.1A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.3A, 10V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220-3 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
FET Feature | - | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Active | |
Series | - | |
Вес, г | 0.454 |
Техническая документация
Datasheet IRFIBE30GPBF
pdf, 751 КБ
Datasheet IRFIBE30GPBF
pdf, 1400 КБ
IRFIBE30G
pdf, 1401 КБ
Документация
pdf, 1399 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов