IRF1405ZPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 75A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

200 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 15 шт. — 160 руб.

от 29 шт. — 145 руб.

от 50 шт. — 139 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 600 руб.

Номенклатурный номер: 8009371857

Артикул: IRF1405ZPBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 55В 75A

Корпус	TO-220AB
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	150 A
Maximum Drain Source Resistance	4.9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	230 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	120 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	75A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4780pF @ 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	230W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	2.575