STP43N60DM2, Транзистор полевой N-канальный 600В 34A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
192 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
790 руб.
от 3 шт. —
700 руб.
от 6 шт. —
669 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 790 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 34A
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Fall Time: | 6 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | TO-220-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 93 mOhms | |
| Rise Time: | 27 ns | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 2.8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 312 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
