STGP10NB60S, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
96 руб.
от 19 шт. —
88 руб.
от 37 шт. —
84 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 10 A | |
| Continuous Collector Current at 25 C | 20 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max | 20 A | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA | |
| Height | 9.15 mm | |
| Length | 10.4 mm | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 80 W | |
| Product Category | IGBT Transistors | |
| RoHS | Details | |
| Series | 600-650V IGBTs | |
| Technology | Si | |
| Width | 4.6 mm | |
| Вес, г | 2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
