Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI1416EDH-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET ...

SI1416EDH-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

59 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 42 шт. — 48 руб.

от 83 шт. — 44 руб.

от 166 шт. — 41 руб.

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 472 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009451845

Артикул: SI1416EDH-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке

Технические параметры

Корпус	SOT-363
Id - непрерывный ток утечки	3.9 A
Pd - рассеивание мощности	2.8 W
Qg - заряд затвора	12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	58 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	600 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	30 ns
Время спада	50 ns
Другие названия товара №	SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3-
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	13 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	15 ns
Типичное время задержки при включении	1.5 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	SOT-363-6
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	3.9 A
Maximum Drain Source Resistance	77 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2.8 W
Minimum Gate Threshold Voltage	0.6V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-363
Pin Count	6
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
Width	1.35mm
Вес, г	0.05