IRFB7537PBF

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию



130 руб.
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 32 шт. —
95 руб.
от 50 шт. —
88 руб.
от 150 шт. —
84 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 440 руб.
Номенклатурный номер: 8009492622
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 173A
Технические параметры
Корпус | TO-220AB |
Id - непрерывный ток утечки: | 173 A |
Pd - рассеивание мощности: | 230 W |
Qg - заряд затвора: | 142 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.75 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3.7 V |
Вид монтажа: | Through Hole |
Время нарастания: | 105 ns |
Время спада: | 84 ns |
Другие названия товара №: | IRFB7537PBF SP001570828 |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Коммерческое обозначение: | StrongIRFET |
Конфигурация: | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 190 S |
Максимальная рабочая температура: | +175 C |
Минимальная рабочая температура: | -55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Производитель: | Infineon |
Размер фабричной упаковки: | 50 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения: | 82 ns |
Типичное время задержки при включении: | 15 ns |
Торговая марка: | Infineon/IR |
Упаковка / блок: | TO-220-3 |
Упаковка: | Tube |
Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 84 ns |
Forward Transconductance - Min | 190 S |
Id - Continuous Drain Current | 173 A |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | SP001570828 |
Pd - Power Dissipation | 230 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 142 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.75 mOhms |
Rise Time | 105 ns |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Tradename | StrongIRFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 82 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.7 V |
Вес, г | 2.89 |
Техническая документация
Datasheet IRFB7537PBF
pdf, 655 КБ
irfs7537pbf Datasheet
pdf, 651 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов