C3M0075120J, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
![Фото 1/2 C3M0075120J, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube](https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC035911632.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/240/DOC036240708.jpg)
150 шт., срок 5-7 недель
3 150 руб.
Кратность заказа 150 шт.
Добавить в корзину 150 шт.
на сумму 472 500 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing advanced SiC MOSFET technology in new low inductance discrete packing.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 19 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.6V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 113.6 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-263-7 |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 4/15V |
Width | 9.12mm |
Continuous Drain Current (Id) | 30A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@20A, 15V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@5mA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.35nF@1000V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 113.6W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 51nC@15V |
Type | null |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Wolfspeed C3M0075120J
pdf, 1009 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
ST Microelectronics
3 520 руб.