IPP045N10N3GXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
950 руб.
от 2 шт. —
820 руб.
от 5 шт. —
741 руб.
от 10 шт. —
697.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 950 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPP045N10N3GXKSA1 от производителя INFINEON – высокопроизводительный компонент для силовой электроники. Монтажное исполнение THT обеспечивает надежное соединение с печатной платой. Ток стока достигает 100 А, что позволяет использовать транзистор в мощных устройствах. Напряжение сток-исток 100 В подходит для широкого спектра применений. При мощности 214 Вт устройство отличается эффективной работой. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0045 Ом свидетельствует о высокой проводимости и низких потерях. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобную установку и достаточное охлаждение. Модель IPP045N10N3GXKSA1 – надежный выбор для разработчиков силовой электроники. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 214 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0045 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 14 ns |
| Forward Transconductance - Min | 73 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | G IPP045N10N3 IPP45N1N3GXK SP000680794 |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 117 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.9 mOhms |
| Rise Time | 59 ns |
| RoHS | Details |
| Series | OptiMOS 3 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 27 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Width | 4.4 mm |
| Вес, г | 3.114 |
Техническая документация
Документация
pdf, 526 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
