SQ2309ES-T1_BE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
128 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Электроэлемент
Transistor MOSFET P-Channel 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 - Tape and Reel (Alt: SQ2309ES-T1_BE3)
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.7 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SQ2309ES-T1_GE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 335 mOhms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Series: | SQ |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 222 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
