P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V, 3-Pin DPAK TJ60S04M3L

P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V, 3-Pin DPAK TJ60S04M3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт., срок 7 недель
630 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 3 150 руб.
Номенклатурный номер: 8009716913
Артикул: TJ60S04M3L
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Applications Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Features Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.

Технические параметры

Automotive Standard AEC-Q101
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 60 A
Maximum Drain Source Resistance 9.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +10 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 90 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 125 nC @ 10 V
Width 7mm
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 243 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.