P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V, 3-Pin DPAK TJ60S04M3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 7 недель
630 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 150 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Applications Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Features Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.
Технические параметры
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
Maximum Drain Source Resistance | 9.4 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +10 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 90 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
Width | 7mm |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары