P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 шт., срок 7 недель
400 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 4 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Applications Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Features Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.
Технические параметры
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +10 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 27 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
Width | 7mm |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары