P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L

P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 шт., срок 7 недель
400 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 4 000 руб.
Номенклатурный номер: 8009716914
Артикул: TJ8S06M3L
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Applications Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Features Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.

Технические параметры

Automotive Standard AEC-Q101
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 8 A
Maximum Drain Source Resistance 130 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +10 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 27 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 19 nC @ 10 V
Width 7mm
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 287 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.