2SK2009(F), N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SOT-346 2SK2009(F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 шт., срок 7 недель
140 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 400 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-346 |
| Pin Count | 3 |
| Series | 2SK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.5mm |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
