IRF830ASPBF, N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK IRF830ASPBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

230 руб.

Кратность заказа 5 шт.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 150 руб.

Номенклатурный номер: 8009759616

Артикул: IRF830ASPBF

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF830ASPBF

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5 A
Maximum Drain Source Resistance	1.4 Ω
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	24 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г	8