N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V, 3-Pin TO-264 IXFK26N120P

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 730 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 730 руб.

Номенклатурный номер: 8009784758

Артикул: IXFK26N120P

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Описание Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 26А, 960Вт, TO264 Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	26 A
Maximum Drain Source Resistance	460 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	6.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	960 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-264
Pin Count	3
Series	HiperFET, Polar
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	225 nC @ 10 V
Width	5.13mm
Вес, г	5