STGW20V60F IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7 недель
1 390 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 6 950 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 167 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Pd - рассеивание мощности | 167 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 600 |
Серия | STGW20V60F |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары