FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C
![FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C](https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC024051604.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 560 руб.
от 5 шт. —
12 490 руб.
от 10 шт. —
12 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 560 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | 3 Phase Bridge |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 54 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 215 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | PCB Mount |
Package Type | EASY2B |
Pin Count | 35 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | 3 Phase |
Вес, г | 25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FP35R12W2T4B11BOMA1
pdf, 640 КБ
Datasheet FS25R12W1T4B11BOMA1
pdf, 208 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары