STF28NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
![Фото 1/5 STF28NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299179.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752585.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639245.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
39 шт. со склада г.Москва, срок 9 дней
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
240 руб.
от 19 шт. —
223 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
Технические параметры
Корпус | TO-220FP | |
Id - непрерывный ток утечки: | 21 A | |
Pd - рассеивание мощности: | 35 W | |
Qg - заряд затвора: | 50 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 158 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 500 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток: | - 25 V, + 25 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V | |
Вид монтажа: | Through Hole | |
Время нарастания: | 19 ns | |
Время спада: | 52 ns | |
Канальный режим: | Enhancement | |
Категория продукта: | МОП-транзистор | |
Количество каналов: | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение: | MDmesh | |
Конфигурация: | Single | |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
Подкатегория: | MOSFETs | |
Полярность транзистора: | N-Channel | |
Производитель: | STMicroelectronics | |
Размер фабричной упаковки: | 1000 | |
Серия: | STF28NM50N | |
Технология: | Si | |
Тип продукта: | MOSFET | |
Тип транзистора: | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения: | 62 ns | |
Типичное время задержки при включении: | 13.6 ns | |
Торговая марка: | STMicroelectronics | |
Упаковка / блок: | TO-220-3 | |
Упаковка: | Tube | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 21 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 158 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 35 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220FP | |
Pin Count | 3 | |
Series | MDmesh | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Width | 4.6mm | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 52 ns | |
Id - Continuous Drain Current | 21 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 35 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 50 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 158 mOhms | |
Rise Time | 19 ns | |
RoHS | Details | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 13.6 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V | |
Вес, г | 4.082 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 960 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STF28NM50N
pdf, 962 КБ
Datasheet STF28NM50N
pdf, 945 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары