HGTP20N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 8 шт. —
300 руб.
от 16 шт. —
280 руб.
от 32 шт. —
269 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 700 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Channel Type | N | |
| Collector Current (DC) | 70(A) | |
| Configuration | Single | |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) | |
| Mounting | Through Hole | |
| Operating Temperature (Max) | 150C | |
| Operating Temperature (Min) | -55C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Package Type | TO-220 | |
| Packaging | Rail/Tube | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Rad Hardened | No | |
| Вес, г | 3.14 |
Техническая документация
Документация
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
