IPU80R1K0CEBKMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
298 руб.
от 10 шт. —
272.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPU80R1K0CEBKMA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для электронных устройств, обеспечивающий надежное управление током до 5,7 А. С монтажом THT и максимальным напряжением сток-исток в 800 В, этот N-MOSFET транзистор способен выдерживать мощность до 83 Вт. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,95 Ом, что делает его идеальным выбором для энергоэффективных применений. Корпус PG-TO251-3 предоставляет удобство в интеграции в различные схемы. Модель IPU80R1K0CEBKMA1 – ваш выбор для качественной электроники. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 5.7 |
| Напряжение сток-исток, В | 800 |
| Мощность, Вт | 83 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.95 |
| Корпус | PG-TO251-3 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 83W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Series | CoolMOS™ |
| Standard Package | 1.5 |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Вес, г | 1.033 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
