PDTC114EM.315

Фото 1/2 PDTC114EM.315
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 762 шт.
от 1800 шт.3.90 руб.
Добавить в корзину 762 шт. на сумму 3 810 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8009879197
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор биполярный SOT883

Технические параметры

Корпус SOT883
кол-во в упаковке 10000
Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.47 mm
Длина 1.02 mm
Другие названия товара № PDTC114EM T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 10000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SC-101-3
Ширина 0.62 mm
Collector Emitter Voltage Max NPN 50В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 30hFE
Power Dissipation 250мВт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора DFN1006
Линейка Продукции PDTC114E Series
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic 100мА
Полярность Цифрового Транзистора Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2 10кОм
Резистор На входе Базы R1 10кОм
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора DFN1006
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.016

Техническая документация

Datasheet PDTC114EU,115
pdf, 1327 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов