STP20NM50FD, Транзистор полевой N-канальный 500В 20A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
1 310 руб.
от 3 шт. —
1 220 руб.
от 5 шт. —
1 150 руб.
от 9 шт. —
1 090 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 310 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 20A
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 20 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 250@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 192000 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Operating Temperature - (??C) | -65~150 | |
Packaging | Tube | |
Pin Count | 3 | |
Standard Package Name | TO-220 | |
Supplier Package | TO-220 | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 38 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 38@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1380@25V | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 408 КБ
Документация
pdf, 396 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.