T2N7002BK.LM(T

Фото 1/3 T2N7002BK.LM(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
370 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8010107284
Бренд: Toshiba

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 0.4A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 0.4(A)
Drain-Source On-Volt 60(V)
Gate-Source Voltage (Max) '±20(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type SOT-23
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Polarity N
Power Dissipation 1(W)
Rad Hardened No
Type Small Signal
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.1V
Maximum Continuous Drain Current 400 mA
Maximum Drain Source Resistance 1.75 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1.1V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Typical Gate Charge @ Vgs 0.39 nC @ 4.5 V
Width 1.3mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet T2N7002BK,LM
pdf, 236 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.