T2N7002BK.LM(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 0.4A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 0.4(A) |
Drain-Source On-Volt | 60(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | SOT-23 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Polarity | N |
Power Dissipation | 1(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Small Signal |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.1V |
Maximum Continuous Drain Current | 400 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.75 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.39 nC @ 4.5 V |
Width | 1.3mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet T2N7002BK,LM
pdf, 236 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.