Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT › Infineon › МОДУЛЬ FF100R12RT4HOSA1

МОДУЛЬ FF100R12RT4HOSA1

МОДУЛЬ FF100R12RT4HOSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 940 руб.

от 10 шт. — 13 250 руб.

от 20 шт. — 12 550 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 940 руб.

Номенклатурный номер: 8010322122

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Технические параметры

Вес, г

160

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»

Похожие товары

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Infineon

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

11 700 руб.

SKIIP35NAB12T4V1

Semikron

SKIIP35NAB12T4V1

13 420 руб.

PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi

PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)

11 330 руб.

FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт

Infineon

FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт

16 700 руб.

SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2]

Semikron

SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост ...

15 640 руб.

Мы рекомендуем

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Ферритовые сердечники

Ферритовые сердечники

Диодные мосты

Диодные мосты

Вакуумно-люминесцентные знакосинтезирующие модули

Вакуумно-люминесцентные знакосинтезирующие модули