STQ1HNK60R-AP, N-Channel MOSFET, 400 mA, 600 V, 3-Pin TO-92 STQ1HNK60R-AP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт., срок 7 недель
220 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 200 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 400 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 8.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 3 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.25V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
Width | 3.94mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Fall Time: | 25 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 400 mA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Ammo Pack |
Pd - Power Dissipation: | 30 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 10 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 Ohms |
Rise Time: | 5 ns |
Series: | STQ1HNK60R |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.25 V |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Formed |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.4 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8500@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | SuperMESH |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-92 |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Typical Fall Time (ns) | 25 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 7 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 156@25V |
Typical Rise Time (ns) | 5 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.5 |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 455 КБ
Datasheet
pdf, 467 КБ
Datasheet STQ1HNK60R-AP
pdf, 429 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.