CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 600 руб.
от 2 шт. —
6 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 600 руб.
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость. Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех. Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.
Технические параметры
| Входная емкость затвора,нФ | 132 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Защита по току | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 250 |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 735 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 4 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 900 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.2 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1.85 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Вес, г | 354 |
Техническая документация
Mitsubishi Power Devices General Catalog
pdf, 1982 КБ
