MMBTH10Q-7-F, NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 69 000 руб.
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at 4 mA, 10 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Рабочая частота | 650 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBTH10Q-7-F
pdf, 723 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
