BSS123
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3598 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
90 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
38 руб.
от 10 шт. —
20 руб.
от 100 шт. —
5.37 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET-транзистор Single N-канальный 100В 0.2А [SOT-23]
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Case | SOT23 |
| Drain current | 0.16A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 2.5nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 5.5Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.35W |
| Pulsed drain current | 0.8A |
| Technology | TRENCH POWER MV |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.0447 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 650 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
