STF22N60DM6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
870 руб.
от 2 шт. —
740 руб.
от 5 шт. —
661 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 9,5А, Idm: 43А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 15(A) |
| Drain-Source On-Res | 0.255(ohm) |
| Drain-Source On-Volt | 600(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±25(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-220FP |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 29(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.24 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Series | STF |
| Вес, г | 2.739 |
Техническая документация
Datasheet STF22N60DM6
pdf, 453 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
