BSS138-G, N-Channel MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
17 руб.
от 12000 шт. —
16 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 54 000 руб.
Технические параметры
| Brand: | Comchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 0.12 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Manufacturer: | Comchip Technology |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms |
| Rise Time: | 18 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
