BC556C Биполярный транзистор малосигнальный DIO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19249 шт. со склада г.Москва, срок 11-13 дней
26 руб.
от 2 шт. —
17 руб.
от 4000 шт. —
4.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы импортные
Примечание: !
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 500мВт, TO92 Характеристики| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) | 900 mV |
| Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) | 250 mV |
| Collector-Base Voltage (Vcbo) | 80 V |
| Collector-Emitter Voltage (Vceo) | 65 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current (Ic) | 100 mA |
| DC Current Gain (hFE) | 400 |
| Emitter-Base Voltage (Vebo) | 5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature Max. | 150 °C |
| Operating Temperature Min. | -55 °C |
| Package Type | TO-92 |
| Packaging | Ammo Pack |
| Pins | 3 |
| Power Dissipation (Pd) | 500 mW |
| Reflow Temperature Max. | 260 °C |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transit Frequency | 150 MHz |
| Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
BC556A_eng_ger_tds.pdf
pdf, 858 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
