IRF1404STRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 162А, 200Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
380 руб.
от 200 шт. —
297 руб.
от 500 шт. —
263.48 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 5 400 руб.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 162А, 200Вт, D2PAK
Технические параметры
Brand: | Infineon/IR |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 26 ns |
Forward Transconductance - Min: | 106 S |
Id - Continuous Drain Current: | 162 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-263-3 |
Part # Aliases: | IRF1404STRLPBF SP001570024 |
Pd - Power Dissipation: | 200 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 160 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
Rise Time: | 140 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 162 A |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | D²Pak |
Вес, г | 1.86 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов