BUJ302AD,118, Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 4А; 80Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2040 шт., срок 7 недель
270 руб.
от 3 шт. —
170 руб.
от 10 шт. —
125 руб.
от 30 шт. —
108.08 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Brand: | WeEn Semiconductors |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 400 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 4 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
DC Current Gain hFE Max: | 100 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 19 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Manufacturer: | WeEn Semiconductors |
Maximum DC Collector Current: | 4 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | DPAK-3 |
Part # Aliases: | 934064986118 |
Pd - Power Dissipation: | 80 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.