DI050N06D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2042 шт., срок 7 недель
270 руб.
от 5 шт. —
130 руб.
от 25 шт. —
105 руб.
от 100 шт. —
80.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 50 A |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 65 V |
| Fall Time | 2 ns |
| Gate-Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | SMD |
| MSL | Level-1 |
| ON Resistance (Rds(on)) | 11 mOhm |
| Operating Temperature Max. | 150 °C |
| Package Type | DPAK |
| Packaging | Tape & Reel |
| Pins | 3 |
| Power Dissipation (Pd) | 42 W |
| Reflow Temperature Max. | 260 °C |
| Rise Time | 16 ns |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Turn-OFF Delay Time | 9 ns |
| Turn-ON Delay Time | 10 ns |
| Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 582 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
