SI4564DY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 330 руб.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A, 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ, 28 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, -16 V, +16 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W, 3.2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V, 41.5 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 0.253 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
