KSP2222ABU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

от 10 шт. — 80 руб.

от 100 шт. — 31 руб.

от 1000 шт. — 18.37 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8012155921

Артикул: KSP2222ABU

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 75В, 0,8А, 0,5Вт, TO92 Характеристики

Maximum Collector Base Voltage	75 V
Maximum Collector Emitter Voltage	40 V
Maximum DC Collector Current	600 mA
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	625 mW
Minimum DC Current Gain	100
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	1.2V
Maximum Operating Frequency	300MHz
Minimum Operating Temperature	-55°C
Product Height	5.33mm
Product Length	5.2mm
Product Width	4.19mm
Supplier Package	TO-92
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	150°C
Максимальная рассеиваемая мощность	625mW
монтаж (установка)	Through Hole
разрешение	Bipolar Small Signal
тип	NPN
Вес, г	1