IRFPG40

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 110 руб.

от 2 шт. — 980 руб.

от 4 шт. — 905 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 110 руб.

Номенклатурный номер: 8013205246

Электроэлемент

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 1000В, 2,7А, 150Вт, TO247AC Характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4.3A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	150W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вид монтажа	Through Hole
Высота	20.82 mm
Длина	15.87 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	500
Серия	IRFPG
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.31 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.3 A
Maximum Drain Source Resistance	3.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	1000 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	120 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Вес, г	6