IRL3705ZSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Кратность заказа 800 шт.
от 1600 шт. —
210 руб.
от 2400 шт. —
180 руб.
800 шт.
на сумму 176 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 55В, 86А, 130Вт
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 83 ns |
Forward Transconductance - Min: | 150 S |
Id - Continuous Drain Current: | 86 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Part # Aliases: | IRL3705ZSTRLPBF SP001552564 |
Pd - Power Dissipation: | 130 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 60 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
Rise Time: | 240 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.3V |
Maximum Continuous Drain Current | 86 A |
Maximum Drain Source Resistance | 12 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 130 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 5 V |
Width | 11.3mm |
Вес, г | 175.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов