IRFS7540TRLPBF, Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 192 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 110А, 160Вт, D2PAK
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
Pd - рассеивание мощности | 160 W |
Qg - заряд затвора | 88 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.7 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 76 ns |
Время спада | 56 ns |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Другие названия товара № | SP001571690 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 110 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 58 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | D2-Pak |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов