IRFB7434PBF, транзистор полевой N канал 40В 195А TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 50 шт. —
110 руб.
от 200 шт. —
97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 317А, 294Вт, TO220AB
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 294W(Tc) | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6mО© @ 100A,10V | |
| Transistor Polarity | N Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3.9V @ 250uA | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 211 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3.9 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1.6 | |
| Температура, С | -55…+175 | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 317 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 324nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10820pF @ 25V | |
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 294W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V | |
| Series | HEXFETВ®, StrongIRFETв(ў | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFB7434PBF
pdf, 493 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
