PMBT4403.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 2108 шт.
от 4900 шт. —
1.40 руб.
от 21000 шт. —
1.23 руб.
Добавить в корзину 2108 шт.
на сумму 4 216 руб.
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги6
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор силовой биполярный
Технические параметры
Корпус | to236 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V | |
Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
Максимальная рабочая частота | 200 МГц | |
Количество элементов на ИС | 1 | |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,3 V | |
Длина | 3мм | |
Максимальное напряжение коллектор-база | 40 V | |
Transistor Configuration | Одинарный | |
Производитель | Nexperia | |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 V | |
Тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) | |
Максимальное рассеяние мощности | 250 мВт | |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
Минимальная рабочая температура | -65 °C | |
Ширина | 1.4мм | |
Максимальный пост. ток коллектора | 600 mA | |
Тип транзистора | PNP | |
Высота | 1мм | |
Число контактов | 3 | |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В | |
Размеры | 1 x 3 x 1.4мм | |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 20 | |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Другие названия товара № | PMBT4403 T/R | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Конфигурация | Single | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Base Product Number | PMBT4403 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V | |
ECCN | EAR99 | |
Frequency - Transition | 200MHz | |
HTSUS | 8541.21.0075 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Power - Max | 250mW | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-236AB | |
Transistor Type | PNP | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V | |
Maximum DC Collector Current | 600mA | |
Pd - Power Dissipation | 250mW | |
Maximum Collector Base Voltage | 40 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | -40 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Frequency | 200 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 250 mW | |
Minimum DC Current Gain | 30 | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo | |
Вес, г | 0.038 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов