BC857BS.135
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
Добавить в корзину 21 шт.
на сумму 126 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор биполярный TSSOP6
Технические параметры
Корпус | TSSOP6 | |
кол-во в упаковке | 10000 | |
Brand: | Nexperia | |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV | |
Configuration: | Dual | |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 200 at 2 mA, 5 V | |
DC Current Gain hFE Max: | 200 at 2 mA, 5 V | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | |
Factory Pack Quantity: | 10000 | |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz | |
Manufacturer: | Nexperia | |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Package/Case: | TSSOP-6 | |
Part # Aliases: | 934042510135 | |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW | |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
Subcategory: | Transistors | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | PNP | |
Вес, г | 0.041 |
Техническая документация
Datasheet BC857BS.115
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов