BC857BS.135

Фото 1/2 BC857BS.135
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
Добавить в корзину 21 шт. на сумму 126 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8013766684
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор биполярный TSSOP6

Технические параметры

Корпус TSSOP6
кол-во в упаковке 10000
Brand: Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
Configuration: Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min: 200 at 2 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max: 200 at 2 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 10000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Nexperia
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: TSSOP-6
Part # Aliases: 934042510135
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.041

Техническая документация

Datasheet BC857BS.115
pdf, 182 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов